Алфёров Жорес ИвановичДата рождения: 15 марта 1930 года Российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых микроэлектронных компонентов. |
![]() |
|||
| 1930 | Родился в городе Витебске, Белорусской ССР. |
| 1949 | Участвовал в сооружении Красноборской ГРЭС в Ленинградской области. |
| 1953 | Работал инженером, младшим научным сотрудником, старшим научным сотрудником, заведующим сектором, заведующим лабораторией, заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники физико-технического института им.А.Ф.Иоффе РАН г.Санкт-Петербурга. |
| 1961 | Жорес Алфёров получил степень кандидата технических наук. |
| 1965 | Вступил в КПСС. |
| 1970 | Получает степень доктора физико-математических наук. |
| 1972 | Жорес Иванович стал профессором ЛЭТИ. |
| 1973 | Стал заведующим кафедрой оптоэлектроники этого института. |
| 1987 | Стал директором института им.А.Ф. Иоффе. |
| 1988 | Создал при институте физико-технический лицей - единственное в стране среднее учебное заведение, которое принадлежит Академии наук. |
| 1989-199 | Народный депутат СССР (от Академии наук СССР), член Межрегиональной депутатской группы. |
| 1996 | Избран депутатом Государственной Думы Федерального Собрания 6 созыва по общефедеральному списку движения "Наш дом - Россия" (N6 в списке). В Думе вошел во фракцию НДР и в комитет по образованию и науке. |
| 10.12.2000 | Стал лауреатом Нобелевской премии в области физики, разделив ее с американскими учеными Гербертом Кремером и Джеком Килби. |